Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
US6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- US6J11
US6J11TR Hakkında
US6J11TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 260mOhm On-state resistance sunar. 6-SMD flat lead paketi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, düşük güç uygulamaları, anahtarlama devreleri ve sinyal kontrolü gibi alanlarda yer alır. 320mW maksimum güç dağıtımı ve 2.4nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlamaya olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok