Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1MHM2G
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1MHM2G
US1MHM2G Hakkında
US1MHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bu diyot, 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery tipi diyot olarak 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 1.7V maksimum forward voltage değeri ile düşük voltaj düşümü karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 10pF kapasitans değeri ve 5µA reverse leakage current ile düşük kapasite ve sızıntı akımı özelliğine sahiptir. AC/DC güç dönüştürme uygulamaları, devre koruması ve voltaj kontrol devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok