Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1MHE3_A/I
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1MHE3
US1MHE3_A/I Hakkında
US1MHE3_A/I, Vishay tarafından üretilen 1kV 1A genel amaçlı doğrultma diyotudur. Fast recovery tipi tasarımı ile 75ns reverse recovery time sunarak yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) surface mount paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, invertörler, AC-DC konverterler ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda doğrultma ve koruma görevini yerine getirir. 1.7V @ 1A forward voltage ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok