Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1M R3G
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1M
US1M R3G Hakkında
US1M R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1 kV genel amaçlı doğrultma diyotudur. 1 A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu diyot, fast recovery özelliği ile 75 ns reverse recovery time sunmaktadır. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde tasarlanan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 1.7 V maksimum forward gerilim ve 5 µA ters sızıntı akımı özellikleri ile AC/DC konverter uygulamalarında, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanıma uygundur. Ürün Digi-Key tarafından discontinued olarak listelenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok