Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1JHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1JHR3G
US1JHR3G Hakkında
US1JHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip, fast recovery tipinde çalışan bu bileşen, switching uygulamalarında ve güç kaynağı devrelerinde kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı pakette sunulan diyot, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil karakteristikler gösterir. 1.7V ön gerilim düşüşü ve 5 µA ters sızıntı akımı özellikleriyle AC/DC dönüştürme, EMI filtreleme ve koruma devrelerinde tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok