Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1J R3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1J
US1J R3G Hakkında
US1J R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 600V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanmıştır. Fast recovery tipinde olup 75ns ters iyileşme süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DO-214AC (SMA) yüzey montajı paketinde sunulan bu diyot, AC/DC güç dönüştürücüleri, AC beslemelerin doğrultulması, aşırı voltaj koruması ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 1.7V maksimum forward voltaj düşümü ve 5µA ters sızıntı akımı ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok