Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1J M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1J
US1J M2G Hakkında
US1J M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 600V ters gerilim kapasitesi ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Fast recovery özelliği (75ns reverse recovery time) ile anahtarlama hızlı devreler için uygundur. Surface mount DO-214AC (SMA) pakette sunulan bu diyot, -55°C ile 150°C arası sıcaklıklarda çalışır. 1A akımda 1.7V forward voltage ve 600V'de 5µA ters kaçak akımı özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok