Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1GHM2G
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1GHM2G
US1GHM2G Hakkında
US1GHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 400V maksimum ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç kaynakları, AC-DC konverterler ve anahtarlama devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı pakete sahip olan bileşen, fast recovery (50ns) karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. 1V maksimum forward voltajı ve 5µA ters sızıntı akımı (400V'de) ile verimliliği desteklemektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışan junction sıcaklığı aralığında güvenli şekilde işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok