Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1GHE3/5AT
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1GHE3/5AT
US1GHE3/5AT Hakkında
US1GHE3/5AT, Vishay tarafından üretilen 400V/1A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. Fast recovery tipi bu diyot, 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, inverter devreleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, maksimum 1V forward voltage düşüşü ile verimli doğrultma sağlar. 10µA reverse leakage current ve 15pF kapasitans özellikleri ile düşük gürültü ve hassas uygulamalarda da uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok