Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1DHR3G
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1DHR3G
US1DHR3G Hakkında
US1DHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 200V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulmaktadır. 50ns reverse recovery time ile fast recovery karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 1V forward voltaj ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle düşük güç uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve genel doğrultme devrelerinde kullanılır. 15pF kapasitans değeri (4V, 1MHz) yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok