Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
US1BHE3_A/H
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- US1BHE3
US1BHE3_A/H Hakkında
US1BHE3_A/H, Vishay tarafından üretilen 100V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-214AC (SMA) SMD pakette sunulan bu diyot, 50ns reverse recovery time ile fast recovery özelliğine sahiptir. 1V forward voltage ile çalışan komponent, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. AC/DC güç kaynakları, anahtarlamalı devreler, klamp devreler ve genel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 15pF kapasitans değeri ve 10µA reverse leakage current özellikleriyle düşük güç tüketimli tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok