Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
UPA814T-A
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- UPA814T
UPA814T-A Hakkında
UPA814T-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. 9GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmaya uygun bu bileşen, 6V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında çalışır. 100mA maksimum collector akımı ve 1.5dB noise figure (2GHz'de) özellikleri sayesinde düşük gürültülü RF amplifikatör devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları ve VHF/UHF bandında çalışan RF ön uç devrelerinde tercih edilir. Surface mount 6-TSSOP paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 200mW güç tüketimi ile enerji-verimli RF sistemlerinde kullanılabilir. (Not: Bu ürün üretim dışında bırakılmıştır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 3mA, 1V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 6-SO |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok