Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
UPA812T-T1-A
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- UPA812T
UPA812T-T1-A Hakkında
UPA812T-T1-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. Surface mount SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 7GHz transition frequency ile karakterize edilen transistör, 10V collector-emitter breakdown voltajında çalışır. Maksimum 65mA kollektör akımı ve 200mW güç yönetimi kapasitesi ile RF amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 1.4dB gürültü şekli (1GHz'de) ve 12dB kazanç, uydu haberleşmesi, kablosuz iletişim ve radar uygulamalarında performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, şu anda üretimden kaldırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok