Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
UPA810T-T1-A
MOTION ENCODER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- UPA810T
UPA810T-T1-A Hakkında
UPA810T-T1-A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, RF uygulamalarında düşük gürültü amplifikasyonu için tasarlanmıştır. 4.5GHz transition frequency ve 1.2dB noise figure (1GHz'de) ile radyo frekans alıcı devrelerinde, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında ve RF ön uç uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum collector akımı ve 12V breakdown voltajı ile orta seviye RF sinyallerin işlenmesine uygundur. 70 minimum hFE kazancı ve 9dB gain değerleri stabil amplifikasyon sağlar. 200mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C max junction temperature ile genel endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında yer alır. Dual transistör yapısı, differential amplifier veya push-pull konfigürasyonları için avantajlıdır. (Not: Bileşen discontinue durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok