Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
UPA802T-T1-A
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- UPA802T
UPA802T-T1-A Hakkında
UPA802T-T1-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. SOT-363 (SC-88, 6-TSSOP) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 7GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum collector akımı 65mA, maximum collector-emitter gerilimi 10V olan cihaz, 200mW güç tüketimine kapadir. 1.4dB noise figure (1GHz'de) ve 12dB gain özellikleriyle RF amplifikatör, ön uç sistemleri ve haberleşme devrelerinde uygulanır. DC current gain değeri 7mA collector akımında ve 3V Vce'de minimum 70'tir. Maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir. Dual yapısı sayesinde tek pakette iki NPN transistör sunar. Lütfen dikkat: Bu parça obsolete (üretimi sonlanmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok