Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

UPA2690T1R-E2-AX

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON

Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
UPA2690T1R

UPA2690T1R-E2-AX Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen UPA2690T1R-E2-AX, tamamlayıcı N-channel ve P-channel MOSFET'leri içeren bir FET dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 4A/3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 2.5V sürüş gerilimi ile düşük gerilim devrelerde doğrudan kontrol edilebilir. Düşük Rds(on) değeri (42mOhm @ 2A, 4.5V) ve minimal Gate Charge (4.5nC @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar. 6-WFDFN SMD paket tipi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, anahtarlama, güç kaynakları, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type N and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 2.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok