Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

UPA2672T1R-E2-AX

MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON

Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
UPA2672T1R

UPA2672T1R-E2-AX Hakkında

UPA2672T1R-E2-AX, Renesas Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 12V drain-source voltajında 4A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, logic level gate ile 1.8V sürülme özelliğine sahiptir. 67mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç karakteristiği sunmaktadır. 6-WFDFN paketinde üretilen komponent, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama devreleri ve load switching uygulamalarında kullanılmaktadır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir ve maksimum 2.3W güç dissipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 486pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 2.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok