Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
UPA2660T1R-E2-AX
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- UPA2660
UPA2660T1R-E2-AX Hakkında
UPA2660T1R-E2-AX, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup 2.5V ile sürülü olarak tasarlanmıştır. Maksimum 62mΩ on-state direnci (Rds On) ve 4.5nC gate charge karakteristiğine sahiptir. 6-WFDFN (6-HUSON 2x2) yüzey montaj paketinde sunulur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Düşük güç tüketimi (2.3W max) ve kompakt yapısı nedeniyle anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve portable cihazlarda yaygın kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok