Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52AMG0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52AMG0L Hakkında
UNR52AMG0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SMini3 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, 150 mW güç tüketimine ve 150 MHz transition frequency'ye sahiptir. Maksimum collector akımı 80 mA, DC akım kazancı (hFE) minimum 80'dir (5mA collector akımında, 10V Vce'de). Entegre 2.2 kΩ base ve 47 kΩ emitter-base dirençleri ile ön yüklemeli yapısı sayesinde basit devre tasarımları sağlar. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mV saturation voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Tüketici elektronikleri, ses amplifikasyon devreleri ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Lojik seviye sürücülü, düşük güç gerektiren devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok