Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52A8G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52A8G0L Hakkında
UNR52A8G0L, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. Düşük güç uygulamaları için tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 150 mW güç tüketimi ile çalışır. 80 mA kollektör akımı kapasitesi ve 150 MHz geçiş frekansı ile sinyal anahtarlaması ve düşük frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 510 Ohm baz direnci ve 5.1 kOhm emitter-baz direnci içeren ön beslemeli yapısı sayesinde devrelerde ek direnç gereksinimi azaltır. SC-85 (SMini3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, tüketici elektroniği, ses amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 50 V VCEO dağılım gerilimi ve 250 mV maksimum saturasyon gerilimi ile güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok