Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52A6G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52A6G0L Hakkında
UNR52A6G0L, Panasonic tarafından üretilen NPN ön beslemeli bipolar transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 150 mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 80 mA maksimum kolektor akımı ve 150 MHz transition frequency ile sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygundur. 4.7 kOhm entegre baz direnci sayesinde basit devre tasarımı sağlar. 50V maksimum BE breakdown voltajı ile genel amaçlı elektronik uygulamalarında, özellikle tasarlanmış gürültü bastırma ve sinyal yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok