Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52A5G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52A5G0L Hakkında
UNR52A5G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 150 mW maksimum güç derecesiyle çalışan bu komponent, 80 mA maksimum kollektör akımına ve 150 MHz geçiş frekansına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 160 (5mA, 10V koşullarında) olarak belirtilmiştir. SMini3 paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter kırılma gerilimi ve 250mV satürasyon gerilimi özellikleriyle düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 10kΩ dahili baz direnci sayesinde ön beslemeli tasarımla gelir. Entegre direnç kombinasyonu, basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok