Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52A2G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52A2G0L Hakkında
UNR52A2G0L, Panasonic tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-85 SMini3 yüzey monte paketinde sunulan bu komponentin maksimum kollektör akımı 80 mA, maksimum güç tüketimi 150 mW'tır. 150 MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 22 kΩ base ve emitter-base dirençleri ile doğrudan kart tasarımına entegre edilmiş ön beslemeli yapı sayesinde harici biasing bileşenleri gerektirmez. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve lojik uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok