Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR52A0G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR52A0G0L Hakkında
UNR52A0G0L, Panasonic tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli bipolar transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz direnci (47 kΩ) ile donatılmıştır. 150 mW maksimum güç tüketimine sahip olan transistör, 150 MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarına uygundur. 80 mA maksimum collector akımı ve 50 V breakdown voltajı ile sinyal anahtarlaması, darbe yönetimi ve düşük güçlü dijital lojik uygulamalarında kullanılabilir. 160 minimum DC current gain (5 mA, 10 V koşullarında) ile sabit çıkış sağlar. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici baz bağlantısı gerektirmeden doğrudan uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok