Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5219G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR5219G0L Hakkında
UNR5219G0L, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150 mW güç tüketimi ile işaretlenmiştir. Maksimum 100 mA kolektör akımı, 50 V collector-emitter breakdown gerilimi ve 150 MHz transition frequency özelliklerine sahiptir. Entegre 1 kOhm base direnci ve 10 kOhm emitter-base direnci ile önceden beslenmiş (pre-biased) yapı sayesinde, harici bias dirençlerine gerek kalmadan doğrudan kullanılabilir. 5mA kolektör akımında 30 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Düşük sinyal anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri ayarlama devreleri ve darbe genişliği modülasyon (PWM) kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün üretime alınmamış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok