Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5217G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR5217G0L Hakkında
UNR5217G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SMini3-F2 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150 mW güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. Maksimum kolektör akımı 100 mA ve 150 MHz transition frekansı ile orta frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. Gömülü 22 kΩ base direnci, entegre ön biasing devresi içerir. 50V VCEO breakdown voltajı ve 160 minimum hFE (5mA, 10V'da) ile genel amaçlı switching ve amplification uygulamalarında kullanılabilir. Entegre direnç nedeniyle basit devre tasarımı sağlar. Kompakt SC-85 (SMini3) kasa boyutu ile yoğun PCB dizaynlarına uygundur. Düşük kolektör cutoff akımı (500 nA) ile düşük sızıntı özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok