Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

UNR5213G0L

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
SC-85
Seri / Aile Numarası
UNR5213G0L

UNR5213G0L Hakkında

UNR5213G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-85 SMini3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 150 mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. İçerisinde entegre 47 kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunması, harici biyaslandırma devresinin gereksinimini ortadan kaldırır. 150 MHz geçiş frekansı ve 100 mA maksimum collector akımı, hızlı anahtarlama uygulamalarında ve RF sinyal işleme devrelerinde uygulanabilir. 50 V collector-emitter kırılma gerilimi ve minimum 80 (hFE) DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama ve zayıf sinyal kuvvetlendirme görevlerinde tercih edilir. Kompakt form faktörü ve entegre dirençler, kompakt PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition 150 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-85
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SMini3-F2
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok