Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5213G0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
UNR5213G0L Hakkında
UNR5213G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-85 SMini3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 150 mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. İçerisinde entegre 47 kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunması, harici biyaslandırma devresinin gereksinimini ortadan kaldırır. 150 MHz geçiş frekansı ve 100 mA maksimum collector akımı, hızlı anahtarlama uygulamalarında ve RF sinyal işleme devrelerinde uygulanabilir. 50 V collector-emitter kırılma gerilimi ve minimum 80 (hFE) DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama ve zayıf sinyal kuvvetlendirme görevlerinde tercih edilir. Kompakt form faktörü ve entegre dirençler, kompakt PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok