Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR51A6G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR51A6G0L Hakkında
UNR51A6G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 150 mW güç tüketimine sahiptir. 80 mA kolektör akımı ve 160 minimum DC current gain (hFE @ 5mA, 10V) ile karakterize edilmiştir. 80 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 250mV saturation voltajı ile belirtilen parametreleri sağlar. Dahili 4.7 kΩ base resistor ile ön beslemeli yapısı sayesinde basit ve kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Uygulamalar arasında sinyal anahtarlama, düşük güçlü amplifikasyon ve mantık seviyesi uyarlaması bulunur. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok