Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR51A1G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR51A1G0L Hakkında
UNR51A1G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 80 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 10 kOhms base ve emitter base dirençleri sayesinde harici ön yükleme devresi tasarımını basitleştirir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda çalışabilir. DC current gain 35 (@ 5mA, 10V) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses sinyali işleme ve güç yönetimi uygulamalarında yer bulur. Maksimum 80mA collector akımı ile düşük-orta güçlü tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok