Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR511TG0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR511TG0L Hakkında
UNR511TG0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SMini3-F2 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 150 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 80 MHz transition frekansı ve 50 V maksimum Vce breakdown voltajı ile, sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama ve lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. İçerisinde entegre 22 kΩ base ve 47 kΩ emitter-base dirençleri barındırması, harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyacı azaltır ve devre tasarımını basitleştirir. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok