Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR511HG0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR511HG0L Hakkında
UNR511HG0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150 mW güç tüketimine ve 100 mA kollektör akımına sahiptir. Giriş tarafında entegre 2.2 kΩ ve 10 kΩ direnç bulunur; bu özellik biyaslandırma devrelerini basitleştirerek tasarım maliyetini düşürür. 80 MHz geçiş frekansı ve 50 V maksimum kollektör-emitter kırılım gerilimi ile uydu devrelerinde, düşük güçlü anahtar uygulamalarında ve sinyal işleme devrelerinde kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Düşük baz akımı gereksinimiyle lojik devrelerin sürülmesinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok