Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR511FG0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR511FG0L Hakkında
UNR511FG0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SMini3-F2 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç tüketimi 150mW olup, 100mA'e kadar kollektör akımı destekler. 80MHz transit frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Dahili 4.7kΩ taban ve 10kΩ emitter-taban dirençleri ile önceden ayarlanmış yapı, düşük akımlı sinyal işleme ve lojik seviye anahtarlamada tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 30 değerine sahiptir. 50V maksimum kollektör-emitter kırılma gerilimi ile hassas uygulamalarda güvenli çalışır. Yüksek empedans çıkışlı sensör arayüzleri, zayıf sinyal deteksiyonu ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında uygun bir seçenektir. (Ürün artık üretilmemektedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok