Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5119G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR5119G0L Hakkında
UNR5119G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. Maksimum 150 mW güç seviyesinde çalışan bu komponent, yüzey montajlı SC-85 (SMini3-F2) paketinde sunulmaktadır. Entegre 1 kOhm baz direnci ve 10 kOhm emitter-baz direnci ile ön beslemeli tasarım sayesinde, harici bias bileşenleri gerektirmeden doğrudan kullanılabilir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V VCE(BR)O yıkılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında yer alır. 80 MHz geçiş frekansı ile RF ve sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. Kompakt SMini3 paketi ile yoğun PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok