Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

UNR5117G0L

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
SC-85
Seri / Aile Numarası
UNR5117G0L

UNR5117G0L Hakkında

UNR5117G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli PNP tipinde bir bipolar transistördür. SMini3-F2 paketinde sunulan bu komponent, 150 mW güç derecelendirmesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum collector akımı, 160 minimum DC current gain (hFE @ 5mA, 10V) ve 80 MHz transition frequency özellikleriyle sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 50 V collector-emitter breakdown voltage ve 250 mV saturation voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. Surface mount teknolojisine sahip bu transistör, entegre edilmiş 22 kOhm base direnci sayesinde ön beslemeli tasarımlarda basitleştirilmiş devre konfigürasyonu sağlar. Kompakt boyut ve düşük güç tüketimi özelliği taşınabilir elektronik cihazlarda ve kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition 80 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-85
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Supplier Device Package SMini3-F2
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok