Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5117G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR5117G0L Hakkında
UNR5117G0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli PNP tipinde bir bipolar transistördür. SMini3-F2 paketinde sunulan bu komponent, 150 mW güç derecelendirmesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum collector akımı, 160 minimum DC current gain (hFE @ 5mA, 10V) ve 80 MHz transition frequency özellikleriyle sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 50 V collector-emitter breakdown voltage ve 250 mV saturation voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. Surface mount teknolojisine sahip bu transistör, entegre edilmiş 22 kOhm base direnci sayesinde ön beslemeli tasarımlarda basitleştirilmiş devre konfigürasyonu sağlar. Kompakt boyut ve düşük güç tüketimi özelliği taşınabilir elektronik cihazlarda ve kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok