Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR5114G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR5114G0L Hakkında
UNR5114G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SMini3-F2 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç yeteneğine ve 100mA kolektör akımına sahiptir. 80 MHz transistion frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 10kΩ ve 47kΩ direnç yapısı sayesinde ön beslenme devresinin basitleştirilmesine olanak tanır. 50V kolektör-emitör breakdown voltajı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, sinyal anahtarlaması ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 oranında belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok