Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR511200L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
UNR511200L Hakkında
UNR511200L, Panasonic tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç tüketimine ve 50V collector-emitter break-down voltajına sahiptir. 100mA maximum collector akımı ve 80MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Dahili 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile gelen transistör, genel amaçlı anahtarlama, darbe şekillendirme ve kontrol devrelerinde tercih edilir. Compact SMini3-G1 paket tasarımı, yoğun PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, yeni tasarımlarda yerine geçecek parçaların incelenmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-G1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok