Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

UNR421800A

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
3-SIP
Seri / Aile Numarası
UNR421800

UNR421800A Hakkında

UNR421800A, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. NS-B1 paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri içeren tasarımı sayesinde basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında direk kullanıma hazırdır. 300mW güç tahlifi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilim yeteneği ile düşük güç gerektiren uygulamalara uygundur. 150MHz transition frekansı ve 20'lik minimum DC akım kazancı (hFE @ 5mA, 10V) ile orta hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 510Ω baz direnci ve 5.1kΩ emitter direnci sayesinde önceden ayarlanmış bias koşulları sağlar. Tüketici elektroniği, bilgisayar çevre birimleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. Through Hole montaj tipiyle geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. Lütfen güncel alternatifleri değerlendirin çünkü bu ürün üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition 150 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case 3-SIP
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 510 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2) 5.1 kOhms
Supplier Device Package NS-B1
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok