Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

UNR412200A

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
3-SSIP
Seri / Aile Numarası
UNR412200A

UNR412200A Hakkında

UNR412200A, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 300mW güç kapasitesi ve 500mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Entegre 4.7kΩ base ve emitter-base direnç ağlarına sahip olup, basit uygulamalarda harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyacı azaltır. 200MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mV saturation voltajı ile endüstriyel kontrol, sinyal işleme ve dijital lojik sürücü uygulamalarına uygundur. Through-hole montajlı 3-SSIP paketinde sunulur. Taşıyıcı durumu obsolete olup, depo stoğu sınırlı veya tükenmiş olabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case 3-SSIP
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package NS-A1
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok