Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR412100A
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
UNR412100A Hakkında
UNR412100A, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 300mW güç tüketimine sahip bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. İçerisinde entegre 2.2kOhm'luk base ve emitter-base dirençleri bulunur ve bu özellik, harici direnç tasarımına gerek kalmadan kullanılmasını sağlar. 200MHz geçiş frekansı ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. 50V maksimum kolektör-emitter gerilim dağılması ile şebekeleme ve amplifikasyon devrelerinde, sinyal anahtarlaması gereken uygulamalarda tercih edilebilir. Through Hole (NS-B1) paketinde sunulan bu transistör, eski tasarımlar için referans bileşen olarak bilinmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SSIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-A1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok