Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR411L00A
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
UNR411L00A Hakkında
UNR411L00A, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. NS-B1 kütüphanesinde yer alan bu bileşen, dahili base ve emitter dirençleri (her biri 4.7 kOhms) ile entegre şekilde tasarlanmıştır. 300mW maksimum güç dağılımı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 80MHz transition frequency özelliği hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ile gerilim koruması sağlar. Through-hole montajlı pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviyeleme uygulamalarında yer bulur. Ön beslemeli yapısı sayesinde ilave biasing bileşenlerine gerek duymaz ve PCB tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-B1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok