Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR411F00A
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
UNR411F00A Hakkında
UNR411F00A, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. NS-B1 paketinde sunulan bu bileşen, dahili base ve emitter base dirençlerine sahip olup direkt entegre edilebilir bir yapı sunar. 300mW güç kapasitesi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük güçlü sinyal uygulamalarında kullanılır. 80MHz geçiş frekansı hızlı anahtarlama işlemleri için uygun olup, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile çeşitli devre tasarımlarına uyum sağlar. Through-hole montaj tipi ile konvansiyonel PCB'lere entegrasyonu yapılabilir. Anahtar, amplifikasyon ve şoför uygulamalarında tercih edilir. Mevcut durumu itibariyle ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-B1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok