Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR411E00A
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
UNR411E00A Hakkında
UNR411E00A, Panasonic tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 300mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Entegre 47kΩ baz ve 22kΩ emiter baz dirençleri sayesinde harici biyaslandırma devresi gerektirmez. 80MHz transistion frekansı ile hız gerektiren anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V VCEO ve 60 minimum DC kazanç (hFE) sağlar. Through-hole 3-SIP paketi ile geleneksel PCB montajına uyygundur. Kontrol devreleri, sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen artık üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, stok malzemelerde bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-B1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok