Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR41160RA
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
UNR41160RA Hakkında
UNR41160RA, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 300 mW güç kapasitesi ile entegre baz direnci (4.7 kOhms) içeren bu komponent, darbe devrelerinde, lojik seviyeleme uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 160 minimum DC akım kazancı ile tasarlanan UNR41160RA, 80 MHz transit frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. 50 V maksimum V(BR)CEO ayırıcı gerilimi ile genel amaçlı elektronik uygulamalarında, özel olarak sinyal kuplajı ve tetikleme devrelerinde tercih edilir. Through Hole montajı destekleyen 3-SIP paket tipindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | NS-B1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok