Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR31AMG0L
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
UNR31AMG0L Hakkında
UNR31AMG0L, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 100 mW maksimum güç tüketimi, 80 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V emitter-kolektör bozulma gerilimi özellikleriyle, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. İç ön beslemeli dirençleri (R1: 2.2 kΩ, R2: 47 kΩ) sayesinde basit devre tasarımında bağımsız bias ağının gerekliliğini ortadan kaldırmaktadır. 80 MHz transition frekansı ve 250 mV saturasyon gerilimi ile düşük güçlü dijital ve analog devre uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Lütfen datasheetine başvurarak pin konfigürasyonunu ve sınır şartlarını doğrulayınız.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SSSMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok