Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
UNR211F00L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
UNR211F00L Hakkında
UNR211F00L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile entegre baz ve emitter dirençlerine sahiptir. Dahili 4.7kΩ baz direnci ve 10kΩ emitter-baz direnci ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz geçiş frekansı ve 50V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama, ses amplifikasyonu ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Kompakt SO-23 (TO-236-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük güç anahtarlaması gerektiren devrelere uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | Mini3-G1 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok