Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

UMH10NTN

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
UMH10N

UMH10NTN Hakkında

UMH10NTN, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2 NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-TSSOP (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 150mW maksimum güç tüketimine sahip olup 100mA kolektör akımı kapasitesiyle çalışır. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. İntegre 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle ön beslemeli yapısı sayesinde, sürücü devreler ve lojik seviyeleme uygulamalarında hızlı entegrasyon sağlar. 50V VCEO maksimum diyelectric gücü ile endüstriyel kontrol, sensör arayüzleri ve düşük güç lojik devrelerinde kullanılır. Active parça statüsü ile üretimde devam etmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package UMT6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok