Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
UMG4N-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 5-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- UMG4N
UMG4N-7 Hakkında
UMG4N-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-353 (5-TSSOP, SC-70-5) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre base direnci (10kΩ) sayesinde harici ön beslemeli devrelerde ek bileşenlere ihtiyaç duymadan kullanılabilir. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 olup, 150mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Anahtarlama devreleri, gürültü kaldırma, güç yönetimi ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-353 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok