Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

UJ3D06530TS

650V 30A SIC SCHOTTKY DIODE G3,

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
UJ3D06530TS

UJ3D06530TS Hakkında

UJ3D06530TS, UnitedSiC tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. Tercih edilen doğrultma uygulamalarında kullanılan bu bileşen, düşük forward voltage düşüşü (1.7V @ 30A) ve sıfır reverse recovery time özellikleri ile karakterizedir. TO-220-2 paketlemesinde sunulan diyot, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 650V ters voltaj dayanımı ve 370µA ters sızıntı akımı ile yüksek güç uygulamalarında, güç dönüştürücü devrelerinde, inverter tasarımlarında ve endüstriyel anahtarlamada yaygın olarak tercih edilir. SiC teknolojisinin kullanılması, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 30A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 370 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 30 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok