Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

UJ3D06508TS

650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
UJ3D06508TS

UJ3D06508TS Hakkında

UJ3D06508TS, UnitedSiC tarafından üretilen 650V 8A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. G3 serisi bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ileri gerilim düşüşü sağlar. 0 ns reverse recovery time özelliği ile sürü taşıyıcı geri kazanım zamanı yoktur, bu da anahtarlama kayıplarını minimuma indirir. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 1.7V ileri gerilim düşüşü ve 50µA ters sızıntı akımı özellikleri ile verimli tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok