Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
UGB8JT-E3/81
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UGB8JT
UGB8JT-E3/81 Hakkında
UGB8JT-E3/81, Vishay tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. TO-263AB (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 50 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 1.75V forward voltage drop ve 30 µA reverse leakage current özellikleriyle güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok